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NXP Semiconductors
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 100 ns/div
GND
006aab065
Fig 14. PESD5Z6.0: Clamped +8 kV ESD pulse
waveform (IEC 61000-4-2 network)
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 100 ns/div
GND
006aab067
Fig 16. PESD5Z7.0: Clamped +8 kV ESD pulse
waveform (IEC 61000-4-2 network)
PESD5ZX_SER_2
PESD5Zx series
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 100 ns/div
GND
006aab066
Fig 15. PESD5Z6.0: Clamped ? 8 kV ESD pulse
waveform (IEC 61000-4-2 network)
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 100 ns/div
GND
006aab068
Fig 17. PESD5Z7.0: Clamped ? 8 kV ESD pulse
waveform (IEC 61000-4-2 network)
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 4 April 2008
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PESD5Z2.5,115 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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PESD5Z3.3 T/R 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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PESD5Z5.0 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS UNIDIR 5V 180W SOD523 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNIDIR, 5V, 180W, SOD523 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNIDIR, 5V, 180W, SOD523; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:5V; Breakdown Voltage Max:6.2V; Clamping Voltage Vc Max:18V; Peak Pulse Current Ippm:10A; Diode Case Style:SOD-523; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes
PESD5Z5.0 T/R 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C